| home | products | infos | about | contact | terms | offices | jobs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| > Energy band gap > GaAs | AlxGa1-xAs | InxGa1-xAs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
> Refractive index > GaAs | AlAs | AlxGa1-xAs | InxGa1-xAs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| > Devices > Bragg mirror | SAM | RSAM | SOC | PCA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Energy band gap Eg of GaAs |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| > | Contents | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| > | Equation | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
The temperature dependency of the direct energy band gap Eg of GaAs can be calculated according to J. S. Blakemore J. Appl. Phys. 53 (1982) R123 by the equation |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Eg (T) = 1.519 - 5.408 ⋅ 10-4 T2/( T + 204) | eq.(1) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| In this equation the symbols have the following meaning: | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Eg | direct energy band gap of GaAs in eV | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| T | absolute temperature in K | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| > | Numerical values | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||