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| > Energy band gap > GaAs | AlxGa1-xAs | InxGa1-xAs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
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> Refractive index > GaAs | AlAs | AlxGa1-xAs | InxGa1-xAs | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| > Devices > Bragg mirror | SAM | RSAM | SOC | PCA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
Refractive index n of GaAs |
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| > | Contents | |||||||||||||||||||||||||||||||||
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| > | Sellmeyer Equation | |||||||||||||||||||||||||||||||||
In the energy range below or near the fundamental absorption edge the dispersion of the refractive index n(l) of GaAs can be calculated by the first-order Sellmeier equation |
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eq.(1) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
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| In this equation the symbols and constants have the following meaning in the case of GaAs at room temperature: | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| l | light wavelength in the vacuum in µm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| A = 8.950 | empirical coefficient | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| B = 2.054 | empirical coefficient | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| C2 = 0.390 | empirical coefficient | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| > | Numerical values | |||||||||||||||||||||||||||||||||
Refractive index n of GaAs calculated with eq. (1) |
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